DTC114YUB datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DTC114YUB 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68
Корпус транзистора: SC85 UMT3F SOT323FL
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для DTC114YUB
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTC114YUB даташит
dtc114yub.pdf
Transistors DTC114YUB 100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTC114YUB Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver UMT3F 2.0 Features 0.9 0.32 1) Built-in bias resistors enable the configuration of (3) an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin-fi
pdtc114yu 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC114YU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Product specification Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114YU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k and 47 k respectively) 3 handbook, 4 columns 3 Simplification of circuit design R1 R
pdtc114yu 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC114YU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Product specification Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114YU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k and 47 k respectively) 3 handbook, 4 columns 3 Simplification of circuit design R1 R
dtc114yefra dtc114ykafra dtc114ymfha dtc114yuafra.pdf
DTC114Y series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k DTC114YM DTC114YEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 47k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTC114YE DTC114Y
Другие транзисторы: DTC044EUB, DTC114EEB, DTC114EM, DTC114EUB, DTC114WE, DTC114YEB, DTC114YM, DTC114YUA, TIP122, DTC115EEB, DTC115EM, DTC123EE, DTC123EM, DTC123JEB, DTC123JM, DTC123JUB, DTC123YE
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: KT603E | KT6115A | KRA164F | KRA161F | 2SC4519 | MRF861
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468









