DTC115EEB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTC115EEB  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SC-89 EMT3F SOT416FL

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTC115EEB

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC115EEB даташит

 ..1. Size:180K  rohm
 dtc115eeb.pdf pdf_icon

DTC115EEB

100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTC115EEB Applications Dimensions (Unit mm) EMT3F Inverter, Interface, Driver Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of (3) an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) Each bias resistor is a thin-film resistor. Since they are completely insu

 6.1. Size:138K  nxp
 pdtc115eef pdtc115ek pdtc115es.pdf pdf_icon

DTC115EEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 6.2. Size:45K  rohm
 dtc115ee-eua-eka-esa 29 sot346-323-416.pdf pdf_icon

DTC115EEB

(94S-522-A115E)

 6.3. Size:1384K  rohm
 dtc115eefra dtc115ekafra dtc115emfha dtc115euafra.pdf pdf_icon

DTC115EEB

DTC115E series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 100k DTC115EM DTC115EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 100k EMT3 UMT3 lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 100k 2) Built-in bias resistors enable the configuration of

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DTC114EEB, DTC114EM, DTC114EUB, DTC114WE, DTC114YEB, DTC114YM, DTC114YUA, DTC114YUB, A1015, DTC115EM, DTC123EE, DTC123EM, DTC123JEB, DTC123JM, DTC123JUB, DTC123YE, DTC124EEB