DTC123EE - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

DTC123EE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DTC123EE
   Маркировка: 22_8H
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: EMT3

 Аналоги (замена) для DTC123EE

 

DTC123EE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:685K  rohm
dtc123ee.pdfpdf_icon

DTC123EE

DTC123E series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline VMT3 EMT3 Parameter Value OUT OUT VCC 50V IN IN IC(MAX.) GND 100mA GND R1 2.2kW DTC123EM DTC123EE R2 (SC-105AA) SOT-416 (SC-75A) 2.2kW UMT3 SMT3 OUT OUT lFeatures IN 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 2.2kW. IN GND GND 2) Built-in bias resi

 ..2. Size:389K  onsemi
mun2231 mmun2231l mun5231 dtc123ee dtc123em3 nsbc123ef3.pdfpdf_icon

DTC123EE

MUN2231, MMUN2231L, MUN5231, DTC123EE, DTC123EM3, NSBC123EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW www.onsemi.com NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 This series of digital transistors is designed to replace a single COLLECTOR (OUTPUT) device and its external resistor bias network. The Bias Resistor PIN 1 R1 Transistor (BRT) c

 0.1. Size:139K  nxp
pdtc123eef pdtc123ek pdtc123es.pdfpdf_icon

DTC123EE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC123E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Mar 18 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC123E series R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 0.2. Size:68K  rohm
dtc123ee-eua-eka 22 sot416 323 346.pdfpdf_icon

DTC123EE

Transistors Digital transistors (built-in resistors) DTC123EE / DTC123EUA / DTC123EKA DTC123ESA FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin- film resistors with complete isola- tion to allow negative bias

Другие транзисторы... DTC114EUB , DTC114WE , DTC114YEB , DTC114YM , DTC114YUA , DTC114YUB , DTC115EEB , DTC115EM , BD140 , DTC123EM , DTC123JEB , DTC123JM , DTC123JUB , DTC123YE , DTC124EEB , DTC124EM , DTC124EUB .

History: TTA1452B | KRC646T

 

 
Back to Top

 


 
.