DTC144EUB datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DTC144EUB 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68
Корпус транзистора: SC85 UMT3F SOT323FL
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для DTC144EUB
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTC144EUB даташит
dtc144eub.pdf
Transistors DTC144EUB 100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTC144EUB Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver UMT3F 2.0 Features 0.9 0.32 1) Built-in bias resistors enable the configuration of (3) an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin-
pdtc144eu 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC144EU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Objective specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit desi
pdtc144eu 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC144EU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Objective specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit desi
dtc144eka dtc144eua.pdf
DTC144E series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 47k DTC144EM DTC144EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 47k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 47k 2) Built-in bias resistors enable the configuration of
Другие транзисторы: DTC143XM, DTC143XUA, DTC143XUB, DTC143ZEB, DTC143ZM, DTC143ZUB, DTC144EEB, DTC144EM, 2SA1837, DTC144WE, DTD113ZK, DTD113ZU, DTD123YK, DTD513ZE, DTD513ZM, DTD523YE, DTD523YM
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516










