DTD113ZK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTD113ZK  📄📄 

Маркировка: T146

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SMT3 SC59

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTD113ZK

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTD113ZK даташит

 ..1. Size:139K  rohm
dtd113zk-zk dtd113zk.pdfpdf_icon

DTD113ZK

500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTD113ZK / DTD113ZU Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver 2.9 1.1 DTD113ZK 0.4 0.8 (3) Features 1) Built-in bias resistors enable theconfiguration of an inverter circuit without connecting external input (2) (1) resistors (see equivalent circuit). 0.95 0.95 2) The bias resisto

 0.1. Size:139K  chenmko
chdtd113zkgp.pdfpdf_icon

DTD113ZK

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD113ZKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 7.1. Size:64K  philips
pdtd113zt.pdfpdf_icon

DTD113ZK

PDTD113ZT NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 k , R2 = 10 k Rev. 02 23 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN 500 mA Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PDTB113ZT. 1.2 Features Built-in bias resistors Reduces component count Simplifies circuit des

 7.2. Size:77K  rohm
dtd113zs.pdfpdf_icon

DTD113ZK

DTD113ZK / DTD113ZU / DTD113ZS Transistors 500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTD113ZK / DTD113ZU / DTD113ZS External dimensions (Unit mm) Applications Inverter, Interface, Driver 2.9 1.1 DTD113ZK 0.4 0.8 (3) Features 1) Built-in bias resistors enable theconfiguration of an ( ) (1) 2 inverter circuit without connecting external input 0.95

Другие транзисторы: DTC143XUB, DTC143ZEB, DTC143ZM, DTC143ZUB, DTC144EEB, DTC144EM, DTC144EUB, DTC144WE, TIP35C, DTD113ZU, DTD123YK, DTD513ZE, DTD513ZM, DTD523YE, DTD523YM, DTD543EE, DTD543EM