Биполярный транзистор 2N5859 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5859
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO39
2N5859 Datasheet (PDF)
..1. Size:79K central
2n5859.pdf
2n5859.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
Другие транзисторы... 2N5851 , 2N5852 , 2N5853 , 2N5854 , 2N5855 , 2N5856 , 2N5857 , 2N5858 , 8050 , 2N586 , 2N5860 , 2N5861 , 2N5862 , 2N5864 , 2N5865 , 2N5867 , 2N5868 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050