Биполярный транзистор DTD723YE - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DTD723YE
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора: EMT3
DTD723YE Datasheet (PDF)
..1. Size:178K rohm
dtd723ye.pdf
dtd723ye.pdf
200mA / 30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD723YE / DTD723YM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTD723YE1.6 0.7 0.550.3( )3 Feature ( ) ( )2 10.2 0.21) VCE (sat) is lower than conventional products. 0.15(1) GND0.5 0.52) Built-in bias resistors enable the configuration of (2) IN1.0EMT3an i
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
