Биполярный транзистор DTD743ZM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DTD743ZM
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора: SC-105AA VMT3 SOT723
DTD743ZM Datasheet (PDF)
dtd743ze.pdf
DTD743ZE / DTD743ZM Transistors 200mA / 30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD743ZE / DTD743ZM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTD743ZE1.6 0.70.550.3 Feature ( )31) VCE(sat) is lower than conventional products. ( ) ( )2 12) Built-in bias resistors enable the configuration of an 0.2 0.20.15(1)
dtd743ee.pdf
200mA / 30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD743EE / DTD743EM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTD723YE1.6 0.7 0.550.3( )3 Feature ( ) ( )2 10.2 0.21. VCE (sat) is lower than the conventional products. 0.15(1) GND0.5 0.52. Built-in bias resistors enable the configuration of (2) IN1.0EMT3
dtd743xe.pdf
200mA / 30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD743XE / DTD743XM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTD743XE1.6 0.70.550.3Feature ( )31) VCE(sat) is lower than the conventional products. ( ) ( )2 12) Built-in bias resistors enable the configuration of an 0.2 0.20.15(1) GND0.5 0.5inverter cir
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
