KT8126B1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KT8126B1  📄📄 

Маркировка: КТ8126Б1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: KT28-2

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KT8126B1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT8126B1 даташит

 9.1. Size:803K  russia
kt812a-b-v 2t812a-b.pdfpdf_icon

KT8126B1

Другие транзисторы: KT625AM-2, KT646V, KT732A, KT733A, KT738A, KT739A, KT805IM, KT8126A1, 13003, KT814A9, KT814B9, KT814G9, KT814V9, KT815A9, KT815B9, KT815G9, KT815V9