KT814G9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KT814G9  📄📄 

Маркировка: КТ814Г9

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: KT-89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KT814G9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT814G9 даташит

 9.1. Size:654K  russia
 kt814a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT814G9

Другие транзисторы: KT733A, KT738A, KT739A, KT805IM, KT8126A1, KT8126B1, KT814A9, KT814B9, S9014, KT814V9, KT815A9, KT815B9, KT815G9, KT815V9, KT816A9, KT816B9, KT816G9