KT8170B1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KT8170B1  📄📄 

Маркировка: КТ8170Б1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: KT27

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KT8170B1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT8170B1 даташит

 9.1. Size:699K  russia
 kt817a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT8170B1

Другие транзисторы: KT815B9, KT815G9, KT815V9, KT816A9, KT816B9, KT816G9, KT816V9, KT8170A1, BC546, KT817A9, KT817B9, KT817G9, KT817V9, KT8212A, KT8212B, KT8212V, KT8213A