KT8296V - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KT8296V - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KT8296V
   Маркировка: КТ8296В
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: KT27

 Аналоги (замена) для KT8296V

 

KT8296V Datasheet (PDF)

 9.1. Size:33K  no
 kt829a.pdf pdf_icon

KT8296V

n-p-n, 829 Ik max,A 8 Uo (U max)[Ur max],B100 U max,B 100 P max(P max), 60 T max,C 150 h21(h21)[S21 ] 750 U(U),B 3 I(I),A 3 U ,B 2 I(IR), 1500 f(fh21), 4 R -(R -),/ 2.08

 9.2. Size:713K  russia
 kt829a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT8296V

 9.3. Size:213K  inchange semiconductor
 kt829a.pdf pdf_icon

KT8296V

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = 3A FE C Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications ABSOLUTE

Другие транзисторы... KT8271V , KT8272A , KT8272B , KT8272V , KT8290A , KT8296A , KT8296B , KT8296G , 431 , KT8297A , KT8297B , KT8297G , KT8297V , KT8301A-5 , KT8304A , KT8304A-5 , KT8304A9 .

History: MRF654 | DCX114TU | 2SC386

 

 
Back to Top

 


 
.