Справочник транзисторов. KT8296V

 

Биполярный транзистор KT8296V Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KT8296V
   Маркировка: КТ8296В
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: KT27
 

 Аналог (замена) для KT8296V

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT8296V Datasheet (PDF)

 9.1. Size:33K  no
 kt829a.pdf pdf_icon

KT8296V

n-p-n, 829Ik max,A 8Uo (U max)[Ur max],B100U max,B 100P max(P max), 60T max,C 150h21(h21)[S21 ] 750 U(U),B 3 I(I),A 3U ,B 2I(IR), 1500f(fh21), 4R -(R -),/ 2.08

 9.2. Size:713K  russia
 kt829a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT8296V

 9.3. Size:213K  inchange semiconductor
 kt829a.pdf pdf_icon

KT8296V

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = 3AFE CLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputstage applicationsABSOLUTE

Другие транзисторы... KT8271V , KT8272A , KT8272B , KT8272V , KT8290A , KT8296A , KT8296B , KT8296G , TIP32C , KT8297A , KT8297B , KT8297G , KT8297V , KT8301A-5 , KT8304A , KT8304A-5 , KT8304A9 .

 

 
Back to Top

 


 
.