KT837S1-IM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KT837S1-IM  📄📄 

Маркировка: КТ837С1-ИМ

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: KT-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KT837S1-IM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT837S1-IM даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: KT837H1-IM, KT837I1-IM, KT837K1-IM, KT837L1-IM, KT837M1-IM, KT837N1-IM, KT837P1-IM, KT837R1-IM, TIP41, KT837T1-IM, KT837U1-IM, KT837V1-IM, KT837Zh, KT837Zh1-IM, KT872G, KT872V, KT918A-2