KT837V1-IM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT837V1-IM

Маркировка: КТ837В1-ИМ

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: KT-92

 Аналоги (замена) для KT837V1-IM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT837V1-IM даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: KT837L1-IM, KT837M1-IM, KT837N1-IM, KT837P1-IM, KT837R1-IM, KT837S1-IM, KT837T1-IM, KT837U1-IM, S8050, KT837Zh, KT837Zh1-IM, KT872G, KT872V, KT918A-2, KT918B-2, KT938B-2, KT939A