2SC3795A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC3795A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220FA

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC3795A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3795A даташит

 ..1. Size:146K  inchange semiconductor
 2sc3795 2sc3795a.pdf pdf_icon

2SC3795A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3795 2SC3795A DESCRIPTION With TO-220Fa package High breakdown voltage High speed switching Low collector saturation voltage APPLICATIONS For high breakdown voltate ,high-speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) an

 7.1. Size:63K  panasonic
 2sc3795.pdf pdf_icon

2SC3795A

Power Transistors 2SC3795, 2SC3795A Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Features High-speed switching Unit mm High collector to base voltage VCBO 10.0 0.2 4.2 0.2 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) 5.5 0.2 2.7 0.2 Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw Absolute Maximum

 7.2. Size:211K  inchange semiconductor
 2sc3795.pdf pdf_icon

2SC3795A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3795 DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage- V = 800V(Min.) (BR)CBO Low Collector Saturation Voltage High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

 7.3. Size:214K  inchange semiconductor
 2sc3795b.pdf pdf_icon

2SC3795A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3795B DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage- V = 1000V(Min.) (BR)CBO Low Collector Saturation Voltage High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALU

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB1657, 2SB1658, 2SC1027, 2SC3158, 2SC3180N, 2SC3298A, 2SC3298B, 2SC3506, A1015, 2SC3795B, 2SC3970A, 2SC3972A, 2SC3973A, 2SC3973B, 2SC4419, 2SC4460, 2SC4507