Биполярный транзистор 2SC3795A Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SC3795A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO220FA
Аналог (замена) для 2SC3795A
2SC3795A Datasheet (PDF)
2sc3795 2sc3795a.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3795 2SC3795A DESCRIPTION With TO-220Fa package High breakdown voltage High speed switching Low collector saturation voltage APPLICATIONS For high breakdown voltate ,high-speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220Fa) an
2sc3795.pdf

Power Transistors2SC3795, 2SC3795ASilicon NPN triple diffusion planar typeFor high breakdown voltage high-speed switchingFeaturesHigh-speed switchingUnit: mm High collector to base voltage VCBO10.0 0.2 4.2 0.2Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)5.5 0.2 2.7 0.2Full-pack package which can be installed to the heat sink withone screwAbsolute Maximum
2sc3795.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3795DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage-: V = 800V(Min.)(BR)CBOLow Collector Saturation VoltageHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
2sc3795b.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3795BDESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage-: V = 1000V(Min.)(BR)CBOLow Collector Saturation VoltageHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: PDTA113EU | RN1911FE | KSE340J | B647A-D | PEMX1 | 2SC1959 | MJE2090
History: PDTA113EU | RN1911FE | KSE340J | B647A-D | PEMX1 | 2SC1959 | MJE2090



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor