2SC3970A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC3970A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220FA

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC3970A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3970A даташит

 ..1. Size:144K  inchange semiconductor
 2sc3970 2sc3970a.pdf pdf_icon

2SC3970A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3970 2SC3970A DESCRIPTION With TO-220Fa package High speed switching High VCBO Wide area of safe operation APPLICATIONS For high breakdown voltate ,high-speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol 3 Emitte

 7.1. Size:60K  panasonic
 2sc3970.pdf pdf_icon

2SC3970A

Power Transistors 2SC3970, 2SC3970A Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 10.0 0.2 4.2 0.2 Features 5.5 0.2 2.7 0.2 High-speed switching High collector to base voltage VCBO 3.1 0.1 Wide area of safe operation (ASO) Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE Full-pack package which can be insta

 7.2. Size:181K  jmnic
 2sc3970.pdf pdf_icon

2SC3970A

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3970 2SC3970A DESCRIPTION With TO-220Fa package High speed switching High VCBO Wide area of safe operation APPLICATIONS For high breakdown voltate ,high-speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol 3 Emitter Absolute maxim

 7.3. Size:212K  inchange semiconductor
 2sc3970.pdf pdf_icon

2SC3970A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3970 DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage- V = 800V(Min.) (BR)CBO Wide Area of Safe Operation High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC1027, 2SC3158, 2SC3180N, 2SC3298A, 2SC3298B, 2SC3506, 2SC3795A, 2SC3795B, BD140, 2SC3972A, 2SC3973A, 2SC3973B, 2SC4419, 2SC4460, 2SC4507, 2SC4508, 2SC4509