Справочник транзисторов. 2SC3970A

 

Биполярный транзистор 2SC3970A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC3970A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO220FA

 Аналоги (замена) для 2SC3970A

 

 

2SC3970A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  inchange semiconductor
2sc3970 2sc3970a.pdf

2SC3970A
2SC3970A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3970 2SC3970A DESCRIPTION With TO-220Fa package High speed switching High VCBO Wide area of safe operation APPLICATIONS For high breakdown voltate ,high-speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol3 Emitte

 7.1. Size:60K  panasonic
2sc3970.pdf

2SC3970A
2SC3970A

Power Transistors2SC3970, 2SC3970ASilicon NPN triple diffusion planar typeFor high breakdown voltage high-speed switchingUnit: mm10.0 0.2 4.2 0.2Features5.5 0.2 2.7 0.2High-speed switchingHigh collector to base voltage VCBO 3.1 0.1Wide area of safe operation (ASO)Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFEFull-pack package which can be insta

 7.2. Size:181K  jmnic
2sc3970.pdf

2SC3970A
2SC3970A

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3970 2SC3970A DESCRIPTION With TO-220Fa package High speed switching High VCBO Wide area of safe operation APPLICATIONS For high breakdown voltate ,high-speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol3 EmitterAbsolute maxim

 7.3. Size:212K  inchange semiconductor
2sc3970.pdf

2SC3970A
2SC3970A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3970DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage-: V = 800V(Min.)(BR)CBOWide Area of Safe OperationHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top