2SC3970A - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2SC3970A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SC3970A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO220FA

 Аналоги (замена) для 2SC3970A

 

2SC3970A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  inchange semiconductor
2sc3970 2sc3970a.pdfpdf_icon

2SC3970A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3970 2SC3970A DESCRIPTION With TO-220Fa package High speed switching High VCBO Wide area of safe operation APPLICATIONS For high breakdown voltate ,high-speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol 3 Emitte

 7.1. Size:60K  panasonic
2sc3970.pdfpdf_icon

2SC3970A

Power Transistors 2SC3970, 2SC3970A Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 10.0 0.2 4.2 0.2 Features 5.5 0.2 2.7 0.2 High-speed switching High collector to base voltage VCBO 3.1 0.1 Wide area of safe operation (ASO) Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE Full-pack package which can be insta

 7.2. Size:181K  jmnic
2sc3970.pdfpdf_icon

2SC3970A

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3970 2SC3970A DESCRIPTION With TO-220Fa package High speed switching High VCBO Wide area of safe operation APPLICATIONS For high breakdown voltate ,high-speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol 3 Emitter Absolute maxim

 7.3. Size:212K  inchange semiconductor
2sc3970.pdfpdf_icon

2SC3970A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3970 DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage- V = 800V(Min.) (BR)CBO Wide Area of Safe Operation High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

Другие транзисторы... 2SC1027 , 2SC3158 , 2SC3180N , 2SC3298A , 2SC3298B , 2SC3506 , 2SC3795A , 2SC3795B , BD140 , 2SC3972A , 2SC3973A , 2SC3973B , 2SC4419 , 2SC4460 , 2SC4507 , 2SC4508 , 2SC4509 .

History: A157A | CSB1086AQ | 2SC3973B | MPQ2221R

 

 
Back to Top

 


 
.