3DD303B - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

3DD303B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD303B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO3

Аналоги (замена) для 3DD303B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

3DD303B даташит

..1. Size:201K inchange semiconductor
3dd303b.pdf pdf_icon

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD303B DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 0.6V(Max) @I = 0.5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for B/W TV vertical output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

8.1. Size:200K inchange semiconductor
3dd303a.pdf pdf_icon

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD303A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 40V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max) @I = 3A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for B/W TV vertical output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

8.2. Size:206K inchange semiconductor
3dd303c.pdf pdf_icon

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD303C DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max) @I = 3A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for B/W TV vertical output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

9.1. Size:143K crhj
3dd3040a3.pdf pdf_icon