BU2515DX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2515DX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3PML

 Аналоги (замена) для BU2515DX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2515DX даташит

 ..1. Size:217K  inchange semiconductor
 bu2515dx.pdf pdf_icon

BU2515DX

isc Silicon NPN Power Transistor BU2515DX DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 800V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of PC monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

 7.1. Size:54K  philips
 bu2515df 1.pdf pdf_icon

BU2515DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2515DF GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a full plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of pc monitors. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emitter

 7.2. Size:213K  inchange semiconductor
 bu2515df.pdf pdf_icon

BU2515DX

isc Silicon NPN Power Transistor BU2515DF DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 800V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of PC monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

 8.1. Size:51K  philips
 bu2515ax bu2515ax 1.pdf pdf_icon

BU2515DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2515AX GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of pc monitors. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emitter voltage peak value VBE = 0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD301C, 3DD301D, 3DD303A, 3DD303B, 3DD303C, BU1508AF, BU2506AF, BU2506AX, A1941, BU2520DW, BU2525AW, BU2527DX, BU2708DF, BU2720AX, BU2720DF, BU2722AF, BU2725AX