Биполярный транзистор BU2515DX Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BU2515DX
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: TO3PML
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BU2515DX Datasheet (PDF)
bu2515dx.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BU2515DXDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofPC monitors.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM
bu2515df 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2515DF GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a full plasticenvelope intended for use in horizontal deflection circuits of pc monitors.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emitter
bu2515df.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BU2515DFDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofPC monitors.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM
bu2515ax bu2515ax 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2515AX GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use inhorizontal deflection circuits of pc monitors.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emitter voltage peak value VBE = 0
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
History: BD242 | D44H11G | CMPTA63 | NSVS50031SB3 | UMB6N | SMUN5335DW | 2SC4617S
History: BD242 | D44H11G | CMPTA63 | NSVS50031SB3 | UMB6N | SMUN5335DW | 2SC4617S



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n