BU2525AW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2525AW

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO247

 Аналоги (замена) для BU2525AW

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2525AW даташит

 ..1. Size:57K  philips
bu2525aw 1.pdfpdf_icon

BU2525AW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525AW GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emi

 ..2. Size:117K  inchange semiconductor
bu2525aw.pdfpdf_icon

BU2525AW

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU2525AW DESCRIPTION With TO-247 package High voltage High speed switching APPLICATIONS For use in horizontal deflection circuits of large screen colour TV receivers. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol 3 Emitter Absolute maximum rati

 7.1. Size:57K  philips
bu2525ax 1.pdfpdf_icon

BU2525AW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525AX GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Col

 7.2. Size:82K  philips
bu2525a.pdfpdf_icon

BU2525AW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2525A GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emit

Другие транзисторы: 3DD303A, 3DD303B, 3DD303C, BU1508AF, BU2506AF, BU2506AX, BU2515DX, BU2520DW, 2N2222A, BU2527DX, BU2708DF, BU2720AX, BU2720DF, BU2722AF, BU2725AX, BU2725DX, BU2727AF