BU2527DX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2527DX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3PML

 Аналоги (замена) для BU2527DX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2527DX даташит

 ..1. Size:63K  philips
 bu2527dx 1.pdf pdf_icon

BU2527DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2527DX GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors. Features improved RBSOA performance. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETE

 ..2. Size:72K  jmnic
 bu2527dx.pdf pdf_icon

BU2527DX

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors BU2527DX DESCRIPTION With TO-3PML package High voltage High speed switching Built-in damper diode APPLICATIONS For use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol Absolute

 ..3. Size:216K  inchange semiconductor
 bu2527dx.pdf pdf_icon

BU2527DX

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BU2527DX DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Ddamper Ddiode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN

 7.1. Size:62K  philips
 bu2527df 1.pdf pdf_icon

BU2527DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2527DF GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors. Features improved RBSOA performance. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD303B, 3DD303C, BU1508AF, BU2506AF, BU2506AX, BU2515DX, BU2520DW, BU2525AW, 2SD718, BU2708DF, BU2720AX, BU2720DF, BU2722AF, BU2725AX, BU2725DX, BU2727AF, BU2727AW