HM4033. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HM4033
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для HM4033
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HM4033 даташит
hm4033.pdf
HM4033 TRANSISTOR (PNP) SOT-89-3L FEATURES 1. BASE High Current General Purpose Amplifier Applications 2. COLLECTOR 3. EMITTER MARKING H4033 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -80 V VCEO Collector-Emitter Voltage -80 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -1 A PC Collector Powe
hm4033.pdf
Spec. No. HE9523 HI-SINCERITY Issued Date 1997.04.17 Revised Date 2005.06.30 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HM4033 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM4033 is designed for high current general purpose amplifier applications. SOT-89 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature .......................................................
hm4030.pdf
N-Channel Trench Power MOSFET General Description General Description General Description General Description The is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, load DS(ON) switching especially for E-Bike controller applications. Features Features Features Features
hm4030d.pdf
HM4030 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM4030D is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, load DS(ON) switching especially for E-Bike controller applications. Features V =100V; I =118A@ V =10V; DS D GS TO-263-2L top view R
Другие транзисторы: A733, A92, A94, B772, C1815, C945, CJF715, D882, BDT88, HM879, KTA1668, KTA2014, KTD1898, M28S, M8050, M8550, MMBT589
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771




