Биполярный транзистор HM4033 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HM4033
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT89
HM4033 Datasheet (PDF)
hm4033.pdf
HM4033 TRANSISTOR (PNP) SOT-89-3L FEATURES 1. BASE High Current General Purpose Amplifier Applications 2. COLLECTOR 3. EMITTER MARKING:H4033 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -80 V VCEO Collector-Emitter Voltage -80 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -1 A PC Collector Powe
hm4033.pdf
Spec. No. : HE9523HI-SINCERITYIssued Date : 1997.04.17Revised Date : 2005.06.30MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HM4033PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HM4033 is designed for high current general purpose amplifier applications.SOT-89Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature .......................................................
hm4030.pdf
N-Channel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionThe is N-channel MOS Field Effect Transistordesigned for high current switching applications. Rugged EAScapability and ultra low R is suitable for PWM, loadDS(ON)switching especially for E-Bike controller applications.FeaturesFeaturesFeaturesFeatures
hm4030d.pdf
HM4030 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM4030D is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, loadDS(ON) switching especially for E-Bike controller applications.Features V =100V; I =118A@ V =10V; DS D GSTO-263-2L top view R
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050