HM879. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM879

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для HM879

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HM879 даташит

 ..1. Size:223K  htsemi
 hm879.pdf pdf_icon

HM879

HM879 TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES High Current 1. BASE Low Voltage 2. COLLECTOR General Purpose Amplifier Applications 3. EMITTER MARKING 879 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 10 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 3 A PC Collector

Другие транзисторы: A92, A94, B772, C1815, C945, CJF715, D882, HM4033, BD222, KTA1668, KTA2014, KTD1898, M28S, M8050, M8550, MMBT589, MMBTA44