MMBTA94. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBTA94

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBTA94

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA94 даташит

 ..1. Size:126K  utc
mmbta94.pdfpdf_icon

MMBTA94

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBTA94 PNP SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR FEATURES 3 * Collector-Emitter Voltage V = -400V CEO * Collector Dissipation P = 350mW C(MAX) * Low Collector-Emitter Saturation Voltage 1 APPLICATIONS 2 SOT-23 * Telephone Switching (JEDEC TO-236) * High Voltage Switch ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Num

 ..2. Size:277K  secos
mmbta94.pdfpdf_icon

MMBTA94

MMBTA94 PNP Silicon -400V, -0.1A, 350mW Elektronische Bauelemente Epitaxial Transistor RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES High Voltage Transistor A L 3 3 Top View C B MARKING 1 1 2 Product Marking Code 2 K E MMBTA44 4D D H J F G SYMBOL Millimeter Millimeter REF. REF. Collector Min. Max. Min.

 ..3. Size:2291K  jiangsu
mmbta94.pdfpdf_icon

MMBTA94

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD J C T SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBTA94 TRANSISTOR (PNP) SOT 23 FEATURES High Breakdown Voltage MARKING 4D MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER VCBO Collector-Base Voltage -400 V 3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage -400 V CEO V Emitte

 ..4. Size:1578K  htsemi
mmbta94.pdfpdf_icon

MMBTA94

MMBTA94 TRANSISTOR(PNP) SOT 23 FEATURES High Breakdown Voltage MARKING 4D 1. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2. EMITTER Symbol Parameter Value Unit 3. COLLECTOR VCBO Collector-Base Voltage -400 V V Collector-Emitter Voltage -400 V CEO V Emitter-Base Voltage -5 V EBO I Collector Current -200 mA C I Collector Current -Pulsed -300 mA C

Другие транзисторы: KTA1668, KTA2014, KTD1898, M28S, M8050, M8550, MMBT589, MMBTA44, C1815, PXT3904, PXT3906, PXT8050, PXT8550, S8050, S8550, S9012, S9013