Справочник транзисторов. MMBTA94

 

Биполярный транзистор MMBTA94 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBTA94
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA94 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  utc
mmbta94.pdfpdf_icon

MMBTA94

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBTA94 PNP SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR FEATURES 3* Collector-Emitter Voltage: V = -400V CEO* Collector Dissipation: P = 350mW C(MAX)* Low Collector-Emitter Saturation Voltage 1 APPLICATIONS 2SOT-23* Telephone Switching (JEDEC TO-236)* High Voltage Switch ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Num

 ..2. Size:277K  secos
mmbta94.pdfpdf_icon

MMBTA94

MMBTA94 PNP Silicon -400V, -0.1A, 350mW Elektronische Bauelemente Epitaxial Transistor RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES High Voltage Transistor AL 33Top View C BMARKING 11 2Product Marking Code2K EMMBTA44 4DDH JF GSYMBOL Millimeter MillimeterREF. REF. Collector Min. Max. Min.

 ..3. Size:2291K  jiangsu
mmbta94.pdfpdf_icon

MMBTA94

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD J C T SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsMMBTA94 TRANSISTOR (PNP) SOT23 FEATURES High Breakdown Voltage MARKING:4D MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER VCBO Collector-Base Voltage -400 V 3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage -400 V CEOV Emitte

 ..4. Size:1578K  htsemi
mmbta94.pdfpdf_icon

MMBTA94

MMBTA94TRANSISTOR(PNP)SOT23 FEATURES High Breakdown Voltage MARKING:4D 1. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2. EMITTER Symbol Parameter Value Unit 3. COLLECTOR VCBO Collector-Base Voltage -400 V V Collector-Emitter Voltage -400 V CEOV Emitter-Base Voltage -5 V EBOI Collector Current -200 mA CI Collector Current -Pulsed -300 mA C

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: GES6014 | 121-1033 | 2SA1338-7 | 2N1223 | 16924 | 2N1377 | MJE13003N5

 

 
Back to Top

 


 
.