STD123S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STD123S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для STD123S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
STD123S даташит
std123s.pdf
STD123S NPN Silicon Transistor Features Low saturation medium current application Extremely low collector saturation voltage COLLECTOR 3 Suitable for low voltage large current drivers 3 High DC current gain and large current capability 1 Low on resistance R =0.6 (Max.) (I =1mA) ON B BASE Ordering Information 2 EMITTER Part Number Marking P
std123s.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors STD123S TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURES Low saturation medium current application 1. BASE Extremely low collector saturation voltage 2. EMITTER Suitable for low voltage large current drivers 3. COLLECTOR High DC current gain and large current capability Low on resistance RON=0.6 (M
std123s.pdf
STD1 23S TRANSISTOR(NPN) SOT-23 FEATURES Low saturation medium current application 1. BASE Extremely low collector saturation voltage 2. EMITTER Suitable for low voltage large current drivers 3. COLLECTOR High DC current gain and large current capability Low on resistance RON=0.6 (Max.) (IB=1mA) Marking 123 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)
std123s.pdf
STD123S SOT-23 Transistor(NPN) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Low saturation medium current application Extremely low collector saturation voltage Suitable for low voltage large current drivers High DC current gain and large current capability Low on resistance RON=0.6 (Max.) (IB=1mA) Marking 123 Dimensions in inches and (millimeters) MA
Другие транзисторы: S9013W, S9014, S9014W, S9015, S9015W, S9018, S9018W, SS8550B, 13009, SC116, SC117, SC118, SC119, SC206, SC207, SC236, SC237
History: CMBT918 | DTA144E | KT315N | SS8550B | FJV3112R | SC119 | 2SA1015O
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor










