STD123S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD123S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для STD123S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STD123S даташит

 ..1. Size:324K  auk
std123s.pdfpdf_icon

STD123S

STD123S NPN Silicon Transistor Features Low saturation medium current application Extremely low collector saturation voltage COLLECTOR 3 Suitable for low voltage large current drivers 3 High DC current gain and large current capability 1 Low on resistance R =0.6 (Max.) (I =1mA) ON B BASE Ordering Information 2 EMITTER Part Number Marking P

 ..2. Size:707K  jiangsu
std123s.pdfpdf_icon

STD123S

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors STD123S TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURES Low saturation medium current application 1. BASE Extremely low collector saturation voltage 2. EMITTER Suitable for low voltage large current drivers 3. COLLECTOR High DC current gain and large current capability Low on resistance RON=0.6 (M

 ..3. Size:939K  htsemi
std123s.pdfpdf_icon

STD123S

STD1 23S TRANSISTOR(NPN) SOT-23 FEATURES Low saturation medium current application 1. BASE Extremely low collector saturation voltage 2. EMITTER Suitable for low voltage large current drivers 3. COLLECTOR High DC current gain and large current capability Low on resistance RON=0.6 (Max.) (IB=1mA) Marking 123 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)

 ..4. Size:211K  lge
std123s.pdfpdf_icon

STD123S

STD123S SOT-23 Transistor(NPN) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Low saturation medium current application Extremely low collector saturation voltage Suitable for low voltage large current drivers High DC current gain and large current capability Low on resistance RON=0.6 (Max.) (IB=1mA) Marking 123 Dimensions in inches and (millimeters) MA

Другие транзисторы: S9013W, S9014, S9014W, S9015, S9015W, S9018, S9018W, SS8550B, 13009, SC116, SC117, SC118, SC119, SC206, SC207, SC236, SC237