SC117. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SC117

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для SC117

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SC117 даташит

 0.1. Size:93K  toshiba
2sc1173.pdfpdf_icon

SC117

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 0.2. Size:248K  fairchild semi
ksc1173.pdfpdf_icon

SC117

August 2009 KSC1173 NPN Epitaxial Silicon Transistor Features Low Frequency Power Amplifier, Power Regulator Collector Current IC=3A Collector Dissipation PC=10W (TC=25 C) Complement to KSA473 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings * TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units BVCBO Collector-Base Voltage 30 V BVC

 0.3. Size:1175K  infineon
bsc117n08ns5.pdfpdf_icon

SC117

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V BSC117N08NS5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V BSC117N08NS5 SuperSO8 1 Description 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal re

Другие транзисторы: S9014W, S9015, S9015W, S9018, S9018W, SS8550B, STD123S, SC116, A1941, SC118, SC119, SC206, SC207, SC236, SC237, SC238, SC239