Биполярный транзистор SC236 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SC236
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
Корпус транзистора: E-LINE
SC236 Datasheet (PDF)
bsy34 sc116 sc117 sc118 sc119 sc206 sc207 sc236 sc237 sc238 sc239 sc307 sc308 sc309.pdf
2sa1016 2sc2362 2sc2362k.pdf
Ordering number:ENN572EPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1016, 1016K/2SC2362, 2362KHigh-Voltage Low-Noise Amp ApplicationsPackage Dimensionsunit:mm2003B[2SA1016, 1016K/2SC2362, 2362K]5.04.04.00.450.50.440.451 2 31 : Emitter( ) : 2SA1016, 1016K 2 : Collecor3 : BaseSpecifications 1.3 1.3SANYO : NPAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25C2SA101
tsc236.pdf
TSC236 High Voltage NPN Transistor TO-220 ITO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1.3V @ IC / IB = 2.5A / 0.6A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Pack
2sc2367.pdf
2SC2367NPN SILICON HI FREQUNCY TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2SC2367 is Designed for general purpose and small signal PACKAGE STYLE .100 4L PILL amplifier and oscillator applications up to 6.0 GHz. FEATURES INCLUDE: High frequency 8.0 GH Low noise, 1 dB at 0.5 GHz. MAXIMUM RATINGS: IC 80 mA VCBO 20 V VCEO 10 V VEBO 1.5 V PDISS 580 mW @ TA = 25 C TJ
2sc2365.pdf
Product Specification www.jmnic.comSilicon NPN Power Transistors 2SC2365 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS For use in switch-mode CTV supply systems PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCB
2sc2365.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2365DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V (Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower switchingPower amplificationPower driverABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER MAX UNITV Collector-Base Voltage 6
2sc2361.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2361DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 70(V)(Min.)(BR)CEO100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSeries regulator,switch and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050