SS125. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SS125

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 28

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для SS125

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SS125 даташит

 0.1. Size:78K  siemens
bss125.pdfpdf_icon

SS125

BSS 125 SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode VGS(th) = 1.5 ...2.5 V Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Marking BSS 125 600 V 0.1 A 45 TO-92 SS125 Type Ordering Code Tape and Reel Information BSS 125 Q62702-S021 E6288 BSS 125 Q67000-S008 E6296 BSS 125 Q67000-S233 E6325 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain sourc

 0.2. Size:58K  rohm
rss125n03fu6tb rss125n03tb.pdfpdf_icon

SS125

RSS125N03 Transistors Switching (30V, 12.5A) RSS125N03 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. SOP8 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (SOP8) . 3.9 (1) Source 6.0 (2) Source Application (3) Source Power switching, DC / DC converter. (4) Gate (5) Drain 0.4Min. (6 )Drain Each lead has same dimensions (7)

Другие транзисторы: SF828, SF829, SFE225, SFE235, SFE245, SS106, SS108, SS109, 13003, SS126, SS200, SS201, SS202, SS216, SS218, SS219, SSE200