Биполярный транзистор 2SA2018F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA2018F
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: SOT-523
2SA2018F Datasheet (PDF)
2sa2018f.pdf
2SA2018FPNP SiliconElektronische BauelementeGeneral Purpose TransistorRoHS Compliant ProductFEATURESSOT-523High Collector CurrentDim Min MaxLow VCE(sat) - VCE(sat) -250mV at IC = -200mA/IB=-10mAA 1.50 1.70B 0.78A 0.82C 0.80 0.82LMARKING CODED 0.28 0.32BW3G 0.90 1.10SBTop View2 1H 0.00 0.10J 0.10 0.20DK 0.35 0.41G3. Collector L 0.49 0
2sa2030 2sa2018 2sa2119k.pdf
2SA2030 / 2SA2018 / 2SA2119KDatasheetLow frequency transistor(-12V, -500mA)lOutlinelParameter Value SOT-723 SOT-416VCEO-12VIC-500mA 2SA2030 2SA2018(VMT3) (EMT3)lFeatures l SOT-346 1)High current.2)Collector-Emitter saturation voltage is low. VCE(sat)250mA at IC=-200mA/IB=-10
2sa2018 2sa2018 2sa2030 2sa2119k.pdf
2SA2018 / 2SA2030 / 2SA2119K Transistors Low frequency transistor 2SA2018 / 2SA2030 / 2SA2119K The transistor of 500mA class which went only into 2125 size conventionally was attained in 1608 sizes or 1208 sizes. Dimensions (Unit : mm) Applications For switching, for muting. 2SA2018 Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. Each
2sa2018.pdf
2SA2018SOT-523 Transistor(PNP)1. BASE SOT-5232. EMITTER 3. COLLECTOR Features A collector current is large. Low VCE(sat). VCE(sat)-250mV at IC = -200mA / IB = -10mA MARKING: BW MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector- Base Voltage -15 V VCEO Collector-Emitter Voltage -12
2sa2018.pdf
2SA2018PNP Genera Purpose Transistors3P b Lead(Pb)-Free12 FEATURES:SOT-523(SC-75)* A collector current is large. * Low VCE(sat). VCE(sat)-250mV @ IC = -200mA / IB = -10mA MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol ValueUnitsCollector- Base Voltage VCBO -15 V-12 VCollector-Emitter Voltage VCEOEmitter-Base Voltage VEBO -6 VCollector Cur
2sa2018.pdf
SMD Type TransistorsPNP Transistors2SA2018SOT-523 U nit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1+0.050.2 -0.05 0.150.05 Features2 1 A collector current is large. Low VCE(sat). VCE(sat)-250mV at IC = -200mA / IB = -10mA30.30.05+0.10.5 -0.11. Base2. Emitter3. Collecter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Coll
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050