2SA965TM - описание и поиск аналогов

 

2SA965TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA965TM

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO92MOD

 Аналоги (замена) для 2SA965TM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA965TM даташит

 ..1. Size:78K  secos
2sa965tm.pdfpdf_icon

2SA965TM

2SA965TM -0.8A , -120V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92MOD FEATURES Complementary to 2SC2235 A D Power Amplifier Applications B CLASSIFICATION OF hFE Product-Rank 2SA965-O 2SA965-Y K E F Range 80-160 120-240 C N G H 1 Emitter 1 1 1 2 Collector 2

 8.1. Size:173K  toshiba
2sa965.pdfpdf_icon

2SA965TM

 8.2. Size:213K  inchange semiconductor
2sa965.pdfpdf_icon

2SA965TM

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SA965 DESCRIPTION Power amplifier applications Driver stage amplifier applications Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for Switching and amplification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -120 V CB

 9.1. Size:178K  toshiba
2sa966.pdfpdf_icon

2SA965TM

Другие транзисторы: SU518, SU519, SU520, 2SA1015K, 2SA1980, 2SA1981, 2SA2018F, 2SA812K, S9018, 2SB1322A, 2SB764L, 2SC1318A, 2SC1383L, 2SC1384L, 2SC1623K, 2SC1740S, 2SC2235TM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.