Справочник транзисторов. 3DD13003B

 

Биполярный транзистор 3DD13003B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD13003B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 3DD13003B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13003B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2520K  secos
3dd13003b.pdfpdf_icon

3DD13003B

3DD13003B 1.5A , 700V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 Power switching applications ADMillimeter REF. Min. Max. BA 4.40 4.70 B 4.30 4.70 C 12.70 - D 3.30 3.81 Collector E 0.36 0.56 2 E CF 0.36 0.51 FG 1.27 TYP. H 1.10 - J 2

 ..2. Size:711K  jiangsu
3dd13003b.pdfpdf_icon

3DD13003B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 3DD13003B TRANSISTOR( NPN ) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES 3. BASE power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Vol

 ..3. Size:183K  lge
3dd13003b.pdfpdf_icon

3DD13003B

3DD13003B(NPN) TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 4.45 2. COLLECTOR 5.21 3. BASE 4.322.92 5.33MINFeatures power switching applications 3.43MIN2.412.67MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.182.034.19Symbol Parameter Value Units2.671.14VCBO Collector-Base Voltage 700 V 1.402.032.67VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V

 ..4. Size:140K  wietron
3dd13003b.pdfpdf_icon

3DD13003B

WEITRON3DD13003BNPN Plastic-Encapsulate TransistorP b Lead(Pb)-Free1. EMITTER2. COLLECTOR3. BASEFEATURES : power switching applicationsTO-92MAXIMUM RATINGS (T unless otherwise noted)A=25CParameter Symbol Value UnitsCollector-Base Voltage VVCBO 700Collector-Emitter Voltage VVCEO 400Emitter-Base Voltage 9 VVEBOACollector Current -Continuous IC 1.5Col

Другие транзисторы... 2SC1740S , 2SC2235TM , 2SC4081F , 2SC4226 , 2SC5343T , 2SC5345T , 2SD1468S , 3DD13001 , 2N5551 , 8050SST , 8550SST , B772S , C1815T , C945T , D882S , D965 , EMT1 .

History: DTB513ZM

 

 
Back to Top

 


 
.