PZT13003 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PZT13003  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PZT13003

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PZT13003 даташит

 ..1. Size:421K  secos
 pzt13003.pdf pdf_icon

PZT13003

PZT13003 1.5A , 700V NPN Silicon Medium Power Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-223 FEATURES For AF driver and output stages Power switching applications A M 4 CLASSIFICATION OF hFE Top View C B Product-Rank PZT13003-A PZT13003-B PZT13003-C 1 2 3 Range 8 20 15 30 25 40 K L E

Другие транзисторы: MMBT5401W, MMBT5551W, MMBT591, MMBT593, MMBT619, MMBTA42W, MMBTA92W, MMDT4944, 13003, S8050T, S8550T, S9012T, S9013T, S9014T, S9015T, S9018T, SEMY1