PZT13003 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PZT13003
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
Paquete / Cubierta: SOT223
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PZT13003 Datasheet (PDF)
pzt13003.pdf

PZT13003 1.5A , 700V NPN Silicon Medium Power Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-223FEATURES For AF driver and output stages Power switching applications A M4CLASSIFICATION OF hFE Top ViewC BProduct-Rank PZT13003-A PZT13003-B PZT13003-C123Range 8~20 15~30 25~40K LE
Otros transistores... MMBT5401W , MMBT5551W , MMBT591 , MMBT593 , MMBT619 , MMBTA42W , MMBTA92W , MMDT4944 , S8050 , S8050T , S8550T , S9012T , S9013T , S9014T , S9015T , S9018T , SEMY1 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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