S8050T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: S8050T  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для S8050T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S8050T даташит

 ..1. Size:386K  secos
 s8050t.pdf pdf_icon

S8050T

S8050T NPN Silicon General Purpose Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead free TO-92 FEATURES 4.55 0.2 3.5 0.2 (1.27 Typ.) Complimentary to S8550T 1.25 0.2 Collector Current IC = 0.5 A 1 2 3 2.54 0.1 1 Emitter 2 Base 3 Collector 0.08 0.43 0.07 0.46 0.1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta = 25 C

 ..2. Size:694K  cn cbi
 s8050t.pdf pdf_icon

S8050T

S8050T TRANSISTOR (NPN) SOT-523 FEATURES Complimentary to S8550T 1. BASE Collector Current IC=0.5A 2. EMITTER 3. COLLECTOR MARKING J3Y MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.5 A PC Collector Diss

 0.1. Size:105K  secos
 ss8050t.pdf pdf_icon

S8050T

SS8050T NPN Silicon Elektronische Bauelemente General Purpose Transistor RoHS Compliant Product A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Power dissipation PCM 1 W Collector Current ICM 1.5 A 1 Collector-base voltage 2 3 V(BR)CBO 40 V 1 2 3 Operating & storage junction temperature 1 O O Tj, Tstg - 55 C + 150 C 1. EMITTER 2 2. BASS 3 . COLLEC

 0.2. Size:636K  slkor
 s8050tl s8050th s8050tj.pdf pdf_icon

S8050T

S8050T NPN Transistors Marking Marking J3Y 3 2 1.Base 2.Emitter 3.Collector 1 Simplified outline(SOT-523) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.5 A PC Collector Dissipation 0.2 W Tj Junction Temperature 150

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT5551W, MMBT591, MMBT593, MMBT619, MMBTA42W, MMBTA92W, MMDT4944, PZT13003, TIP3055, S8550T, S9012T, S9013T, S9014T, S9015T, S9018T, SEMY1, SEMZ8