3DD13005 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13005  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220J

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13005

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13005 даташит

 ..1. Size:108K  secos
3dd13005.pdfpdf_icon

3DD13005

3DD13005 4A , 700V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-220J Power switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise specified) Parameter Symbol Rating Unit Collector to Base Voltage V 700 V CBO Collector to Emitter Voltage VCEO 400 V

 ..2. Size:250K  lge
3dd13005.pdfpdf_icon

3DD13005

3DD13005(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V Dimensions in inches and (millimeters) IC Collector Current -Continuo

 ..3. Size:152K  crhj
3dd13005 c9d.pdfpdf_icon

3DD13005

NPN R 3DD13005 C9D 3DD13005 C9D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W

 ..4. Size:154K  crhj
3dd13005 n8d.pdfpdf_icon

3DD13005

NPN R 3DD13005 N8D 3DD13005 N8D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W

Другие транзисторы: SEMZ8, SS8050T, SS8050W, SS8550T, SS8550W, STB1277, UMX18N, 2SD2118, 8050, B772C, BCP1213, BCP156, BCP157, BCP1766, BCP1898, BCP195, BCP2098