BCP195 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BCP195  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BCP195

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCP195 даташит

 ..1. Size:760K  secos
 bcp195.pdf pdf_icon

BCP195

BCP195 PNP Silicon Planar Medium Power Transistor RoHS Compliant Product SOT-89 Description The BCP195 is designed for medium power amplifier applications. 1 2 3 1.BASE 2.COLLECTOR Features 3.EMITTER * 1Amp Continuous Current * -60V VCEO * Complementary TO BCP194 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 4.4 4.6 G 3.00 REF. B 4.05 4.25 H 1.50 REF. C 1.50

Другие транзисторы: 2SD2118, 3DD13005, B772C, BCP1213, BCP156, BCP157, BCP1766, BCP1898, SS8050, BCP2098, BCP4672, BCP5401, BCP5551, BCP669A, BCP772, BCP869, BCP882