BCP869. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCP869

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BCP869

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCP869 даташит

 ..1. Size:58K  secos
 bcp869.pdf pdf_icon

BCP869

BCP869 PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES The BCP869 is designed for application required for high current (maximum -1 A) and low voltage (maximum -20 V). PACKAGE DIMENSIONS SOT-89 A C D Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 4.40 4.60 G 3.00 REF

Другие транзисторы: BCP1898, BCP195, BCP2098, BCP4672, BCP5401, BCP5551, BCP669A, BCP772, 2SB817, BCP882, BCPA14, BCPA42, BCPA94, BD13003B, CZD1182, CZD1386, CZD1952