CZD1952. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CZD1952

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для CZD1952

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CZD1952 даташит

 ..1. Size:758K  secos
 czd1952.pdf pdf_icon

CZD1952

CZD1952 PNP High Speed Elektronische Bauelemente Switching Transistor RoHS Compliant Product TO-252 Description The CZD1952 is designed for high speed switching applications. Features * Wide SOA * Low Saturation Voltage,Typically VCE(sat)=-0.2V at IC/IB=-3A/-0.15A * High Speed Switching,Typically tf=-0.15us at IC=-3A * Complements to CZD5103 Millimeter Millimeter REF. REF.

Другие транзисторы: BCP869, BCP882, BCPA14, BCPA42, BCPA94, BD13003B, CZD1182, CZD1386, 2SC5198, CZD2983, CZD5103, CZD772, KSA928ATL, MMBT2222Q, MMBT2907Q, PZT157, PZT158