Справочник транзисторов. CZD1952

 

Биполярный транзистор CZD1952 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: CZD1952
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для CZD1952

 

 

CZD1952 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:758K  secos
czd1952.pdf

CZD1952
CZD1952

CZD1952 PNP High SpeedElektronische Bauelemente Switching TransistorRoHS Compliant ProductTO-252Description The CZD1952 is designed for high speed switching applications.Features* Wide SOA* Low Saturation Voltage,Typically VCE(sat)=-0.2V at IC/IB=-3A/-0.15A* High Speed Switching,Typically tf=-0.15us at IC=-3A* Complements to CZD5103Millimeter Millimeter REF. REF.

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top