PZT965. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PZT965

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 230

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для PZT965

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PZT965 даташит

 ..1. Size:1526K  secos
 pzt965.pdf pdf_icon

PZT965

PZT965 NPN Transistor Elektronische Bauelemente Epitaxial Planar Transistor RoHS Compliant Product SOT-223 Description The PZT965 is designed for use as AF output amplifier and flash unit. Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.70 7.30 B 13 TYP. 9 6 5 C 2.90 3.10 J 2.30 REF. Date Code D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 E 0 10 2 6.30 6.70 I 0.60 0.80 3 3.30 3

Другие транзисторы: PZT358, PZT359, PZT4672, PZT559, PZT559A, PZT6718, PZT772, PZT882, MJE350, PZT987A, PZTA27, PZTA94, SZD772, 2SD2583, BCP1300, BCP1616A, BCP194A