Биполярный транзистор CZD1181 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CZD1181
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
Корпус транзистора: TO252
CZD1181 Datasheet (PDF)
8.1. Size:253K secos
czd1182.pdf
czd1182.pdf
CZD1182PNP Silicon Elektronische BauelementeGeneral Purpose TransistorTO-2526. 50 0. 152. 30 0. 10 5. 30 0. 10FEATURESC0. 51 0. 05 The CZD1182 is designed for medium power amplifier applicationLow collector saturation voltage: VCE(sat)=-0.5V (Typ.)1. 200. 51 0. 10 RoHS Compliant Product0 10 0.550. 80 0. 10MARKING : 1182 0. 60 10 0.2. 30 0. 10
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050