3DD13002B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD13002B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DD13002B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13002B даташит

 ..1. Size:842K  jiangsu
3dd13002b.pdfpdf_icon

3DD13002B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 3DD13002B TRANSISTOR NPN TO-92 FEATURE Power Switching Applications 1.EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Equivalent Circuit 13002B=Device code 13002B Solid dot=Green molding compound device, XXX if none,the normal device XXX=Code 1 ORDERING INFORMATION Par

 ..2. Size:398K  lge
3dd13002b.pdfpdf_icon

3DD13002B

3DD13002B(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 4.45 5.21 2. COLLECTOR 3. BASE 4.32 2.92 5.33 MIN Features power switching applications 3.43 MIN 2.41 2.67 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.18 Symbol Parameter Value Units 2.03 4.19 2.67 VCBO Collector-Base Voltage 600 V 1.14 1.40 2.03 VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V 2.67

 ..3. Size:149K  wietron
3dd13002b.pdfpdf_icon

3DD13002B

3DD13002B Switch Mode NPN Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. COLLECTOR 3 3. BASE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V CEO 400 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 600 Vdc Emitter-Base VOltage VEBO 6.0 Vdc Collector Current IC 1.0 Adc PD 1.0 Total Device Dissipation T =25 C W A Junction Temperature T 150 j C Storage, Tempera

 0.1. Size:178K  crhj
3dd13002b1-7.pdfpdf_icon

3DD13002B

NPN R 3DD13002 B1-7 3DD13002 B1-7 VCEO 450 V NPN IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.7 W

Другие транзисторы: SMUN5330DW, SMUN5331DW, SMUN5332DW, SMUN5333DW, SMUN5334DW, UMH13N, UMH15N, 2SB1412, BD333, A1015LT1, A733LT1, BC5347B, BC546C, BC846BDW, BC846BPDW, BC846CW, BC847BDW