C1815LT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: C1815LT1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 130

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для C1815LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

C1815LT1 даташит

 ..1. Size:230K  wietron
 c1815lt1.pdf pdf_icon

C1815LT1

C1815LT1 C1815LT1 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 * G Lead(Pb)-Free 1. BASE 2. EMITTER FEATURES 3. COLLECTOR Power dissipation PCM 0.2 W (Tamb=25 ) 2. 4 Collector current 1. 3 ICM 0.15 A Collector-base voltage V(BR)CBO 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg -55 to +150 Unit mm ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25 unless other

 0.1. Size:122K  hfzt
 2sc1815lt1.pdf pdf_icon

C1815LT1

2SC1815LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package SOT-23 * Complement to 2SA1015 * Collector Current Ic=150mA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage Vcbo 60 V Collector-Emitter Voltage Vceo 50 V Emitter-Base Voltage Vebo 5 V PIN 1 2 3 Collector Current Ic 150 mA STYLE Collector Dissipation Ta=25 * PD 225 mW NO

 8.1. Size:308K  toshiba
 2sc1815l.pdf pdf_icon

C1815LT1

2SC1815(L) TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC1815(L) Audio Frequency Voltage Amplifier Applications Unit mm Low Noise Amplifier Applications High breakdown voltage, high current capability V = 50 V (min), I = 150 mA (max) CEO C Excellent linearity of h FE hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA)

 8.2. Size:141K  semtech
 mmbtsc1815o mmbtsc1815y mmbtsc1815g mmbtsc1815l.pdf pdf_icon

C1815LT1

MMBTSC1815 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into four groups O, Y, G and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor MMBTSA1015 is recommended. TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BC846CW, BC847BDW, BC847BPDW, BC848BDW, BC848BPDW, BC856BDW, BC857BDW, BC858BDW, TIP41, C945LT1, LB123T, M8050LT1, M8550LT1, MBT2222ADW, MBT2907ADW, MBT3904DW, MBT3906DW