PZT5551 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PZT5551  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PZT5551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PZT5551 даташит

 ..1. Size:193K  utc
 pzt5551.pdf pdf_icon

PZT5551

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD PZT5551 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High Collector-Emitter Voltage VCEO=160V * High current gain ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 PZT5551L-x-AA3-R PZT5551G-x-AA3-R SOT-223 B C E Tape Reel www.unisonic.com.tw 1of 4 Copyright 20

 ..2. Size:333K  wietron
 pzt5551.pdf pdf_icon

PZT5551

PZT5551 NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor COLLECTOR 2, 4 4 1. BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER BASE 4.COLLECTOR 1 1 2 3 3 SOT-223 EMITTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) Symbol Rating Value Unit V Collector-Emitter Voltage CEO V 160 VCBO Collector-Base Voltage 180 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current (DC) 600 mA PD Total Device Disspation 1.5 W

 0.1. Size:222K  cystek
 pzt5551l3.pdf pdf_icon

PZT5551

Spec. No. C208L3 Issued Date 2004.09.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2008.07.04 Page No. 1/5 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor PZT5551L3 Description The PZT5551L3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BT

 9.1. Size:1603K  secos
 pzt559a.pdf pdf_icon

PZT5551

PZT559A PNP Silicon Silicon Planar Medium Power Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-223 The PZT559A is designed for general purpose switching and amplifier applications. FEATURES 4 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current. Excellent gain characteristic specified up to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJE13003B, MMBT3904E, MMBT3906E, MMDT2227DW, MSB709, MSD601, MXTA42, PZT5401, 2SD718, PZT951, S9012LT1, S9013LT1, S9014LT1, S9015LT1, SS8050LT1, SS8550LT1, W4401DW