Биполярный транзистор 2N5941T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5941T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: 211-01
2N5941T Datasheet (PDF)
9.4. Size:71K central
2n5949 2n5950 2n5951 2n5952 2n5953.pdf
2n5949 2n5950 2n5951 2n5952 2n5953.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
9.5. Size:13K advanced-semi
2n5945.pdf
2n5945.pdf
2N5945 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2N5945 is Designed for FM Land Mobile Applications in the PACKAGE STYLE .280 4L STUD 400 to 960 MHz. A 45FEATURES:C Common Emitter B E E PG = 9.0 dB at 2.0 W/470 MHz B Omnigold Metalization System C D JE IMAXIMUM RATINGS FGIC 0.8 A H#8-32 UNCKVCBO 36 V MINIMUM
Другие транзисторы... 2N5935 , 2N5936 , 2N5937 , 2N5938 , 2N5939 , 2N594 , 2N5940 , 2N5941 , 2SA1837 , 2N5942 , 2N5943 , 2N5944 , 2N5945 , 2N5946 , 2N5947 , 2N595 , 2N5954 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050