Справочник транзисторов. 2N5941T

 

Биполярный транзистор 2N5941T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5941T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: X92

Аналоги (замена) для 2N5941T

 

 

2N5941T Datasheet (PDF)

5.1. 2n5949 2n5950 2n5951 2n5952 2n5953.pdf Size:71K _central

2N5941T

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

5.2. 2n5945.pdf Size:13K _advanced-semi

2N5941T

2N5945 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2N5945 is Designed for FM Land Mobile Applications in the PACKAGE STYLE .280 4L STUD 400 to 960 MHz. A 45 FEATURES: C Common Emitter B E E PG = 9.0 dB at 2.0 W/470 MHz B Omnigold Metalization System C D J E I MAXIMUM RATINGS F G IC 0.8 A H #8-32 UNC K VCBO 36 V MINIMUM MAXIMUM DIM

Другие транзисторы... 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2N32 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N4401 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2N3208 , 2N3209 , 2N3209AQF .

 

 
Back to Top