DTD123Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTD123Y  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTD123Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTD123Y даташит

 ..1. Size:131K  utc
dtd123y.pdfpdf_icon

DTD123Y

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD DTD123Y NPN SILICON TRANSISTOR DIGITAL TRANSISTORS 3 3 (BUILT-IN RESISTORS) 1 1 2 2 FEATURES SOT-323 SOT-23 * Built-in bias resistors that implies easy ON/OFF applications. * The bias resistors are thin-film resistors with complete isolation to allow negative input. EQUIVALENT CIRCUIT 1 TO-92 ORDERING INFORMATION Ordering Number

 ..2. Size:1033K  wietron
dtd123y.pdfpdf_icon

DTD123Y

DTD123Y Bias Resistor Transistor NPN Silicon COLLECTOR 3 3 P b Lead(Pb)-Free R 1 1 1 BASE R 2 2 2 EMITTER SOT-23 Absolute maximum ratings (TA = 25 C) Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage Vcc 50 V -5 +12 Input voltage VIN V Output current IC 500 mA Power dissipation Pd 200 mW Junction temperature Tj 150 Storage temperature Tstg -55 +150 Electrical characteristics

 0.1. Size:124K  nxp
pdtd123y.pdfpdf_icon

DTD123Y

PDTD123Y series NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 10 k Rev. 02 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA JEDEC PDTD123YK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB123YK PDTD123YS[1] SOT54 SC-43A TO-92

 0.2. Size:124K  nxp
pdtd123yk pdtd123ys.pdfpdf_icon

DTD123Y

PDTD123Y series NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 10 k Rev. 02 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA JEDEC PDTD123YK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB123YK PDTD123YS[1] SOT54 SC-43A TO-92

Другие транзисторы: WTS882, DTA114TM, DTA143TM, DTA144WM, DTC114TM, DTC143TM, DTC144TM, DTC144WM, NJW0281G, MMUN2111, MMUN2112, MMUN2113, MMUN2114, MMUN2115, MMUN2116, MMUN2130, MMUN2131