DTD123Y datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DTD123Y 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56
Корпус транзистора: SOT23
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для DTD123Y
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTD123Y даташит
dtd123y.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD DTD123Y NPN SILICON TRANSISTOR DIGITAL TRANSISTORS 3 3 (BUILT-IN RESISTORS) 1 1 2 2 FEATURES SOT-323 SOT-23 * Built-in bias resistors that implies easy ON/OFF applications. * The bias resistors are thin-film resistors with complete isolation to allow negative input. EQUIVALENT CIRCUIT 1 TO-92 ORDERING INFORMATION Ordering Number
dtd123y.pdf
DTD123Y Bias Resistor Transistor NPN Silicon COLLECTOR 3 3 P b Lead(Pb)-Free R 1 1 1 BASE R 2 2 2 EMITTER SOT-23 Absolute maximum ratings (TA = 25 C) Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage Vcc 50 V -5 +12 Input voltage VIN V Output current IC 500 mA Power dissipation Pd 200 mW Junction temperature Tj 150 Storage temperature Tstg -55 +150 Electrical characteristics
pdtd123y.pdf
PDTD123Y series NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 10 k Rev. 02 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA JEDEC PDTD123YK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB123YK PDTD123YS[1] SOT54 SC-43A TO-92
pdtd123yk pdtd123ys.pdf
PDTD123Y series NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 10 k Rev. 02 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA JEDEC PDTD123YK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB123YK PDTD123YS[1] SOT54 SC-43A TO-92
Другие транзисторы: WTS882, DTA114TM, DTA143TM, DTA144WM, DTC114TM, DTC143TM, DTC144TM, DTC144WM, NJW0281G, MMUN2111, MMUN2112, MMUN2113, MMUN2114, MMUN2115, MMUN2116, MMUN2130, MMUN2131
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 2N583A | 2N3805ADCSM | MTC35-300 | KT837K1-IM | MMBT8550D | MUN2214LT1 | 2N3325
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998












