MMUN2235 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMUN2235  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.043

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMUN2235

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMUN2235 даташит

 0.1. Size:139K  onsemi
mmun2235l mmun2235lt1g mun2235 mun2235t1g.pdfpdf_icon

MMUN2235

MUN2235, MMUN2235L, MUN5235, DTC123JE, DTC123JM3, NSBC123JF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 kW, R2 = 47 kW http //onsemi.com NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 This series of digital transistors is designed to replace a single COLLECTOR (OUTPUT) device and its external resistor bias network. The Bias Resistor PIN 1 R1 Transistor (BRT)

 0.2. Size:156K  onsemi
nsvmmun2235lt1g.pdfpdf_icon

MMUN2235

MUN2235, MMUN2235L, MUN5235, DTC123JE, DTC123JM3, NSBC123JF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 kW, R2 = 47 kW http //onsemi.com NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 This series of digital transistors is designed to replace a single COLLECTOR (OUTPUT) device and its external resistor bias network. The Bias Resistor PIN 1 R1 Transistor (BRT)

 0.3. Size:399K  onsemi
mun2235t1g mmun2235lt1g mun5235t1g dtc123jet1g dtc123jm3t5g nsbc123jf3t5g.pdfpdf_icon

MMUN2235

MUN2235, MMUN2235L, MUN5235, DTC123JE, DTC123JM3, NSBC123JF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 kW, R2 = 47 kW www.onsemi.com NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 This series of digital transistors is designed to replace a single COLLECTOR (OUTPUT) device and its external resistor bias network. The Bias Resistor PIN 1 R1 Transistor (BRT) co

Другие транзисторы: MMUN2214, MMUN2215, MMUN2216, MMUN2230, MMUN2231, MMUN2232, MMUN2233, MMUN2234, B647, MMUN2238, MMUN2241, MUN5111DW, MUN5112DW, MUN5113DW, MUN5114DW, MUN5115, MUN5115DW