MUN5136 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MUN5136  📄📄 

Маркировка: 6N

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.202 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MUN5136

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MUN5136 даташит

 0.1. Size:171K  onsemi
mun5111t1g mun5112t1g mun5113t1g mun5114t1g mun5115t1g mun5116t1g mun5130t1g mun5131t1g mun5132t1g mun5133t1g mun5134t1g mun5135t1g mun5136t1g mun5137t1g.pdfpdf_icon

MUN5136

MUN5111T1G Series, SMUN5111T1G, NSVMUN5111T1G Series Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistor http //onsemi.com with Monolithic Bias Resistor Network PNP SILICON This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor BIAS RESISTOR Transistor (BRT) contains a single transistor with a

 0.2. Size:104K  onsemi
mun5136dw1.pdfpdf_icon

MUN5136

MUN5136DW1, NSBA115EDXV6 Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 100 kW, R2 = 100 kW http //onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single (3) (2) (1) device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias

Другие транзисторы: MUN5130, MUN5130DW, MUN5131DW, MUN5132DW, MUN5133DW, MUN5134, MUN5134DW, MUN5135DW, C5198, MUN5136DW, MUN5137, MUN5137DW, MUN5211DW, MUN5212DW, MUN5213DW, MUN5214DW, MUN5215DW