KTA1296 - описание и поиск аналогов

 

KTA1296. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTA1296

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KTA1296

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTA1296 даташит

 ..1. Size:72K  kec
kta1296.pdfpdf_icon

KTA1296

SEMICONDUCTOR KTA1296 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR POWER AMPLIFIER APPLICATION. POWER SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Low Saturation Voltage. VCE(sat)=-0.5V(Max.) at IC=-2A N DIM MILLIMETERS Complementary to KTC3266. A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) H 0.45 _ H J 14.00 + 0.50 CHARAC

 8.1. Size:450K  jiangsu
kta1298.pdfpdf_icon

KTA1296

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 KTA1298 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE 2. EMITTER FEATURES 3. COLLECTOR Low frequency power amplifier application Power switching application MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -35 V VCEO Collector-Emit

 8.2. Size:110K  jiangsu
kta1297.pdfpdf_icon

KTA1296

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors TO 92S KTA1297 TRANSISTOR (PNP) 1. EMITTER FEATURES 2. COLLECTOR General Purpose Switching Application 3. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -20 V VCEO Collector-Emitter Voltage -20 V VEBO Emitter-Base

 8.3. Size:71K  kec
kta1298.pdfpdf_icon

KTA1296

SEMICONDUCTOR KTA1298 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATION. POWER SWITCHING APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS High DC Current Gain hFE=100 320. _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 Low Saturation Voltage C 1.30 MAX 2 VCE(sat)=-0.4V(Max.) (IC=-500mA, IB=-20mA). 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 Suitable

Другие транзисторы... KTA1073T , KTA1225D , KTA1225L , KTA1242D , KTA1242L , KTA1243 , KTA1279 , KTA1282 , D882P , KTA1360 , KTA1381 , KTA1385D , KTA1385L , KTA1504S , KTA1505S , KTA1517S , KTA1520S .

History: KTA1243

 

 

 


 
↑ Back to Top
.