2N5960 - описание и поиск аналогов

 

2N5960. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5960

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 675 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO61

 Аналоги (замена) для 2N5960

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5960 даташит

 9.1. Size:295K  fairchild semi
 2n5961.pdf pdf_icon

2N5960

Discrete POWER & Signal Technologies 2N5961 C TO-92 B E NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as low noise, high gain, general purpose amplifiers requiring collector currents to 50 mA. Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Val60ue Units VCEO Collector-Emitter Volta

 9.2. Size:469K  fairchild semi
 2n5962 mmbt5962.pdf pdf_icon

2N5960

Discrete POWER & Signal Technologies 2N5962 MMBT5962 C E C TO-92 B B E SOT-23 Mark 117 NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as low noise, high gain, general purpose amplifiers requiring collector currents to 50 mA. Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value U

 9.3. Size:62K  central
 2n5961 2n5962 2n5963.pdf pdf_icon

2N5960

Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824 www. cent ral semi . com

Другие транзисторы: 2N595, 2N5954, 2N5955, 2N5956, 2N5957, 2N5958, 2N5959, 2N596, BC558, 2N5961, 2N5962, 2N5963, 2N5964, 2N5965, 2N5966, 2N5967, 2N5968

 

 

 

 

↑ Back to Top
.