KTA2014V datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KTA2014V 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: VSM
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KTA2014V
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTA2014V даташит
kta2014v.pdf
SEMICONDUCTOR KTA2014V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES B Excellent hFE Linearity hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). DIM MILLIMETERS 2 _ Low Noise NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.). A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 Complementary to KTC4075V. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05 Very Small Package. _ E 1.2 + 0.05
kta2014-gr-o-y.pdf
KTA2014-O MCC Micro Commercial Components TM KTA2014-Y 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 Phone (818) 701-4933 KTA2014-GR Fax (818) 701-4939 Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates PNP RoHS Compliant. See ordering information) Low frequency power amplifier application Plastic-Encapsulate Power switching
kta2014.pdf
KTA2014 -0.15A , -50V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURES Low frequency power amplifier application A Power switching application L 3 3 Top View C B CLASSIFICATION OF hFE 1 1 2 2 K E Product-Rank KTA2014-O KTA2014-Y KTA2014-GR Range 70 140 120 240
kta2014e.pdf
SEMICONDUCTOR KTA2014E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS Excellent hFE Linearity _ + A 1.60 0.10 D hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Low Noise NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.). 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ Complementary to KTC4075E. E 1.60 0.10 + _ +
Другие транзисторы: KTA1862D, KTA1862L, KTA1940, KTA1962, KTA1962A, KTA2012E, KTA2012V, KTA2014E, A733, KTA501E, KTA501U, KTA511T, KTA539, KTA701E, KTA701U, KTA702E, KTA708
History: MJE210G | 2SC196 | 2SC4836
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527









