KTA539 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTA539  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTA539

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTA539 даташит

 ..1. Size:73K  kec
 kta539.pdf pdf_icon

KTA539

SEMICONDUCTOR KTA539 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR LOW FREQUENCY AMPLIFIER B C FEATURES Collector-Base Voltage VCBO=-60V. Complementary to KTC815. DIM MILLIMETERS N A 4.70 MAX B 4.80 MAX E K G C 3.70 MAX D 0.45 D E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) _ J 14.00 + 0.50 H K 0.55 MAX CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT F F L 2.30 M 0.45 MAX

Другие транзисторы: KTA1962A, KTA2012E, KTA2012V, KTA2014E, KTA2014V, KTA501E, KTA501U, KTA511T, 2SC1815, KTA701E, KTA701U, KTA702E, KTA708, KTA711E, KTA711T, KTA711U, KTA712E